1. 厚度測量：在減薄過程中，使用精密的厚度測量設備監控晶圓厚度變化。常用測量方法包括光學干涉、干涉儀和X射線反射等。這些測量技術可以提供高精度的晶圓厚度數據，以指導后續的減薄步驟。

2. 掩膜保護：在進行減薄之前，需要對晶圓表面進行掩膜保護。通常采用光刻工藝，在晶圓表面涂覆光刻膠，并通過曝光和顯影形成保護層。這一步驟的目的是防止減薄過程中引入額外的損傷或污染。

3. 粗研磨/粗拋光：在減薄過程的開始階段，采用較大顆粒的研磨粉末或拋光液進行粗研磨或粗拋光。通過逐漸去除晶圓的材料，實現初步的厚度減薄。

4. 清洗和檢查：在粗研磨/粗拋光后，對晶圓進行徹底的清洗，以去除殘留的研磨或拋光液、掩膜膠等。然后進行檢查，確保晶圓表面沒有明顯的損傷或缺陷。

5. 精研磨/精拋光：在粗研磨/粗拋光之后，采用更細的研磨粉末或拋光液進行精研磨或精拋光。這一步驟旨在進一步減薄晶圓并改善表面的平整度和光潔度。

6. 二次清洗和檢查：在精研磨/精拋光完成后，再次對晶圓進行徹底的清洗，以確保表面干凈無污染。然后進行嚴格的檢查，以確認晶圓是否滿足規定的厚度和表面質量要求。

7. 防靜電處理：由于晶圓在減薄過程中可能積累靜電電荷，需要進行防靜電處理。這可以通過將晶圓放置在特殊的電離棒上進行消除，或者使用適當的防靜電設備和工藝措施來實現。

8. 最后清洗和干燥：在減薄工藝的最后階段，對晶圓進行最后一次清洗，確保表面無任何污染物。然后使用氮氣或其他合適的方法進行干燥，以避免水分殘留。

IGBT晶圓減薄是實現器件設計規格和性能優化的關鍵步驟。通過采用機械研磨或化學機械拋光等常用方法，并結合精確的工藝控制和厚度測量，可以實現對晶圓厚度的精確控制。

來源：穎特芯科技、艾邦半導體