IGBT最常見的形式其實是模塊（Module），而不是單管。

模塊的3個基本特征：

·多個芯片以絕緣方式組裝到基板上；

·空心塑殼封裝，與空氣的隔絕材料是高壓硅脂或者硅脂，以及其他可能的軟性絕緣材料；

·同一個制造商、同一技術系列的產品，IGBT模塊的技術特性與同等規格的IGBT 單管基本相同。

模塊的主要優勢有以下幾個：

·多個IGBT芯片并聯，IGBT的電流規格更大。

·多個IGBT芯片按照特定的電路形式組合，如半橋、全橋等，可以減少外部電路連接的復雜性。

·多個IGBT芯片處于同一個金屬基板上，等于是在獨立的散熱器與IGBT芯片之間增加了一塊均熱板，工作更可靠。

·一個模塊內的多個IGBT芯片經過了模塊制造商的篩選，其參數一致性比市售分立元件要好。

·模塊中多個IGBT芯片之間的連接與多個分立形式的單管進行外部連接相比，電路布局更好，引線電感更小。

·模塊的外部引線端子更適合高壓和大電流連接。同一制造商的同系列產品，模塊的最高電壓等級一般會比IGBT 單管高1-2個等級，如果單管產品的最高電壓規格為1700V，則模塊有2500V、3300V 乃至更高電壓規格的產品。

IGBT的核心技術是單管而不是模塊，模塊其實更像組裝品一管芯的組合與組裝。換言之，IGBT 單管才是IGBT 制造商的核心技術。

文章來源：艾邦半導體