IGBT模塊的集電極電流增大時，VCE(-)上升，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，原件發熱加劇。因此，根據額定損耗，開關損耗所產生的熱量，控制器件結溫（Tj）在 150oC以下（通常為安全起見，以125oC以下為宜），請使用這時的集電流以下為宜。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發熱也加劇，需十分注意。
一般來說，要將集電極電流的最大值控制在直流額定電流以下使用，從經濟角度這是值得推薦的。

IGBT的VGE的耐壓值為±20V，在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場合，由于會導致損壞的危險，因而在柵極-發射極之間不能超出耐壓值的電壓，這點請注意。

在使用裝置的場合，如果柵極回路不合適或者柵極回路完全不能工作時（珊極處于開路狀態），若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止這類損壞情況發生，應在柵極一發射極之間接一只10kΩ左左的電阻為宜。

此外，由于IGBT模塊為MOS結構，對于靜電就要十分注意。因此，請注意下面幾點：

1)在使用模塊時，手持分裝件時，請勿觸摸驅動端子部分。

2)在用導電材料連接驅動端子的模塊時，在配線未布好之前，請先不要接上模塊。

3)盡量在底板良好接地的情況下操作。

4)當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電放電后，再觸摸。

5)在焊接作業時，焊機與焊槽之間的漏泄容易引起靜電壓的產生，為了防止靜電的產生，請先將焊機處良好的接地狀態下。

6)裝部件的容器，請選用不帶靜電的容器。

用于大容量逆變器等控制大電流場合使用IGBT模塊時，可以使用多個器件并聯。

并聯時，要使每個器件流過均等的電流是非常重要的，如果一旦電流平衡達到破壞，那么電過于集中的那個器件將可能被損壞。
為使并聯時電流能平衡，適當改變器件的特性及接線方法。例如。挑選器件的VCE(sat)相同的并聯是很重要的。

1)保存半導體原件的場所的溫度，溫度，應保持在常溫常濕狀態，不應偏離太大。常溫的規定為5－35℃，常濕的規定為45—75％左右。

2)開、關時的浪涌電壓等的測定，請在端子處測定。