電力電子技術的核心是電能的變換和控制，常見的有直流轉交流（逆變）、交流轉直流（整流）、變頻、變相等。在工程中拓展開來，變得五花八門，應用領域非常之廣，學電的小伙伴都很清楚。但是，千變萬化離不開其核心——功率電子器件
01 分類
功率電子器件的分類及用途：
【補充】半導體材料的發展：
第一代：Si、Ge等元素半導體材料，促進計算機及IT技術的發展，也是目前功率半導體器件的基礎材料；
第二代：GaAs、InP等化合物半導體材料，主要用于微波器件、射頻等光電子領域；
第三代：SiC、GaN等寬禁帶材料，未來在功率電子、射頻通信等領域非常有應用前景。
02 應用
功率電子器件的應用：
不控器件：典型器件是電力二極管，主要應用于低頻整流電路；
半控器件：典型器件是晶閘管，又稱可控硅，廣泛應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電路中，應用場景多為低頻；
全控器件：應用領域最廣，典型為GTO、GTR、IGBT、MOSFET，廣泛應用于工業、汽車、軌道牽引、家電等各個領域。
GTO：門極可關斷晶閘管
GTR：電力晶體管
IGBT：絕緣柵雙極性晶體管
MOSFET：金屬氧化物半導體場效應晶體管
汽車領域及大部分工業領域目前最常用的全控器件，全控器件的基本應用場景可以用下邊這張示意圖概括
03 IGBT
IGBT是個好東西?。?/span>
下邊是來歷！
上邊介紹的幾種全控器件，其中GTO是晶閘管的派生器件，主要應用在兆瓦級以上的大功率場合，咱們較少涉及，先討論另外幾種。
GTR（電力晶體管）：電路符號和普通的三極管一致，屬于電流控制功率器件，20世紀80年代以來在中小功率范圍內逐漸取代GTO。GTR同學特點鮮明，耐高壓、大電流、飽和壓降低是其主要優點；但是缺點也很明顯，驅動電流較大、耐浪涌電流能力差、易受二次擊穿而損壞，驅動電流大直接決定其不適合高頻領域的應用。
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）：顧名思義，電場控制是他與GTR最明顯的區別，特性是輸入阻抗大，驅動功率小，開關速度快，工作頻率高，是不是完美彌補了GTR的缺陷？那MOS能不能完全替代GTR呢？答案是不能，MOSFET典型參數是導通阻抗，直觀理解，耐壓做的越大，芯片越厚，導通電阻越大，電流能力就會降低，因此不能兼顧高壓和大電流就成了MOS同學的短板，但別忘了，這是GTR的長處呀！
于是，混血兒IGBT誕生了
看他的簡化等效電路圖，是不是就明白什么了？
那么定義就來了，IGBT是以雙極型晶體管為主導元件,以MOSFET為驅動元件的達林頓結構，是不是很巧妙！再看他的名字“絕緣柵場效應晶體管”就很好記了
IGBT特點：
損耗小，耐高壓，電流密度大，通態電壓低，安全工作區域寬，耐沖擊；
開關頻率高，易并聯，所需驅動功率小，驅動電路簡單，輸入阻抗大，熱穩定性好等；
應用領域正迅速擴大，逐步取代GTR、MOSFET的市場。
文章來源：艾邦半導體網
